型号：HFD1N65
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220/TO-220F
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：1A（25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值7.5Ω（最大值9.5Ω）@ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：约520pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或快速恢复型
　　极性：N-Channel Enhancement Mode

HFD1N65具备优异的电气性能和热稳定性，是专为高电压、低电流应用场景优化设计的功率MOSFET。其最大的亮点之一是高达650V的漏源击穿电压，使其能够安全地应用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的开关电源系统中，有效应对电网波动带来的瞬态高压冲击。器件采用了优化的平面栅极结构，在保证高耐压的同时实现了较低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为7.5Ω，这有助于降低导通期间的能量损耗，提升系统的整体效率。同时，该MOSFET具有良好的开关特性，输入电容和输出电容较小，配合适当的驱动电路可实现快速的开关响应，减少开关过程中的交越损耗，尤其适用于高频开关环境。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载关断时承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅源电压额定值达到±30V，提供了足够的驱动裕量，兼容常见的PWM控制器输出电平，避免因驱动信号过冲造成栅氧击穿。此外，HFD1N65的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和部分严苛环境下的应用需求。
　　从封装角度看，TO-220封装不仅具备良好的机械强度，而且拥有出色的散热性能，可通过外接散热片将热量迅速传导出去，防止局部过热导致性能下降或失效。该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。总体而言，HFD1N65是一款性价比高、可靠性强的中低压小电流功率MOSFET，适合用于消费类电子、照明电源、小型电源模块等领域。

HFD1N65广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，特别是在离线式反激变换器（Flyback Converter）拓扑中表现出色，常用于手机充电器、笔记本电脑适配器、LED恒流驱动电源、家用电器控制板电源模块等产品中。由于其650V的高耐压特性，能够直接连接整流后的市电母线电压，无需额外的降压预稳压电路，简化了系统设计并降低了成本。此外，该器件也适用于DC-DC变换器中的同步整流或主开关元件，尤其是在轻载和中等负载条件下展现出良好的效率表现。
　　在LED照明领域，HFD1N65可用于隔离式或非隔离式恒流源设计，作为主控开关管参与能量传递与调节，确保灯具亮度稳定且高效节能。它还可用于小型逆变器、UPS不间断电源、智能电表电源模块以及工业控制设备中的辅助电源部分。得益于其良好的温度特性和长期稳定性，该MOSFET也能胜任一些工业环境下的长时间连续运行任务。
　　此外，HFD1N65还可用于电池充电管理系统、电动工具电源模块、安防监控设备供电单元等场景。其快速的开关响应能力使其适合高频工作模式，有助于减小变压器和滤波元件的体积，从而实现电源的小型化和轻量化设计。综合来看，HFD1N65凭借其高耐压、低功耗、高可靠性的特点，已成为许多中低端电源设计方案中的优选功率开关器件。

FQA1N65F/FQPF1N65F, STP1N65M5, 2SK3562, 2SK3570, KF1N65, SIHF1N65, SHD1N65