时间：2025/7/8 16:08:46
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TMJ107BB7104KAHT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，主要用于高频和高功率应用领域。该器件采用了先进的封装技术以提高散热性能，并通过优化内部结构实现更低的导通电阻和更高的开关速度。
其设计旨在满足现代电源转换系统对效率、小型化和可靠性的严格要求，适用于如工业电源、通信基站、太阳能逆变器以及电动汽车充电桩等高性能应用场景。
型号：TMJ107BB7104KAHT
类型：增强型功率场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：70mΩ
栅极电荷（典型值）：90nC
反向恢复时间：小于20ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
TMJ107BB7104KAHT 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗并提升整体效率。
2. 快速开关性能，具备低栅极电荷和反向恢复时间，适合高频操作。
3. 高击穿电压支持高达 650V 的应用环境，提供更广泛的设计灵活性。
4. 先进的热管理能力确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 内置保护功能减少外部元件需求，简化电路设计并降低成本。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合长期使用。
这款芯片非常适合以下应用领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器用于提升功率密度和效率。
3. 太阳能微逆变器和优化器中的功率转换模块。
4. 电动汽车车载充电器及快速充电桩的核心组件。
5. 工业电机驱动器与不间断电源系统 (UPS) 的功率级部分。
6. 通信设备中高效的 AC-DC 和隔离式 DC-DC 变换器解决方案。
TMJ107BA7004KAHT, TMJ108BB7104KAHT
