时间：2025/9/15 6:31:31
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1N5711#T50 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）制造的高频小信号肖特基二极管，常用于射频（RF）和高速开关应用。该器件采用TO-236（SOT-23）封装，具有快速开关速度和低正向压降的特点，适用于通信设备、混频器、检波器以及各种射频电路。
最大正向电流：100mA
最大反向电压：70V
正向压降：400mV @ 10mA
反向漏电流：100nA @ 25°C
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
结电容：2pF @ 0V
1N5711#T50 是一款专为高频应用设计的肖特基势垒二极管，具有出色的射频性能。该器件的最大工作频率可达100MHz以上，适用于射频信号的检波、混频和调制等应用。其低正向压降（典型值为400mV）使其在低功耗设计中表现出色，同时其快速恢复时间（trr < 1ns）确保了高速开关操作的稳定性。
此外，1N5711#T50 的结电容较低（约2pF），有助于减少高频信号的失真和插入损耗，使其在射频前端电路中表现优异。器件的封装形式为TO-236（SOT-23），适用于表面贴装技术，便于在高密度PCB布局中使用。
该二极管还具有良好的温度稳定性和可靠性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和军用级应用环境。
1N5711#T50 主要应用于射频和微波电路中，如射频检波器、混频器、限幅器、开关电路以及高速逻辑电路。其低正向压降和快速恢复时间也使其适用于低电压整流和信号检测等场景。常见应用包括无线通信设备、测试仪器、射频识别（RFID）系统、频谱分析仪以及卫星通信设备。
HSMS-2850, 1N5712, 1SS108-4
