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SS1030 T/R 发布时间 时间:2025/8/14 3:36:30 查看 阅读:14

SS1030 T/R 是一款由 Silan(士兰微电子)推出的高性能低噪声放大器(LNA)芯片,专为无线通信系统中的射频前端应用而设计。该芯片采用了先进的硅双极工艺制造,具有低噪声系数、高增益和良好的线性度,适用于各种高频应用场合。

参数

工作频率:800MHz ~ 2500MHz
  增益:约19dB
  噪声系数:约0.7dB
  输出IP3:约+12dBm
  工作电压:2.7V ~ 5.5V
  电流消耗:约20mA
  封装形式:SOT-23-5

特性

SS1030 T/R 是一款专门为射频前端设计的低噪声放大器芯片,具有优异的电气性能和广泛的应用适应性。该芯片的工作频率范围覆盖了800MHz至2500MHz,可以支持多种无线通信标准,如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等。其高增益特性(约19dB)能够有效放大微弱信号,而低噪声系数(约0.7dB)则确保了信号的高保真度。芯片的输出IP3(三阶交调点)约为+12dBm,表明其在高信号强度环境下仍能保持良好的线性度,避免信号失真。此外,SS1030 T/R 的工作电压范围较宽(2.7V至5.5V),使其适用于多种电源供电场景,电流消耗约为20mA,具有较低的功耗特性。该芯片采用SOT-23-5封装形式,体积小巧,便于在紧凑的PCB布局中使用。
  SS1030 T/R 在设计中考虑了稳定性与易用性,内部集成了输入匹配网络,减少了外围元件的需求,降低了设计复杂度。此外,其输出端也具有良好的阻抗匹配特性,能够与后续电路无缝连接。这种高集成度的设计不仅提高了系统的可靠性,还缩短了产品开发周期。该芯片还具备良好的温度稳定性,在-40°C至+85°C的工作温度范围内性能保持稳定,适用于各种恶劣环境条件下的应用。这些特性使得SS1030 T/R 成为无线通信系统、物联网设备、GPS接收器、无线传感器网络等应用的理想选择。

应用

SS1030 T/R 主要用于无线通信系统的射频前端设计,包括但不限于移动通信基站、无线接入点、GPS接收器、物联网设备以及各类无线传感器网络。其优异的性能使其适用于需要高灵敏度和低噪声放大的场合。

替代型号

MAX2611、HMC414、RDA5820、BGA2860

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