时间：2025/9/9 16:47:08
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RCH664NP-121K是一款由Rochester Electronics生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在高温和高负载条件下仍能保持稳定性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：40A
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
RCH664NP-121K具有多个关键特性，使其适用于各种高要求的电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了先进的平面工艺技术，确保在高温环境下仍具有出色的稳定性和可靠性。此外，RCH664NP-121K具有高电流承载能力，能够在持续高负载条件下保持稳定运行。其TO-263（D2PAK）封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产和高密度PCB布局。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，提高系统的整体可靠性。最后，RCH664NP-121K符合RoHS标准，支持环保应用设计。
RCH664NP-121K广泛应用于各种高效率电源管理系统和功率转换设备，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路、负载开关以及工业自动化和电源分配系统。其优异的导通特性和热管理能力使其特别适合用于高密度、高可靠性的电源模块设计。
SiHF664N
