您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y223MBAAR31G

GA1210Y223MBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 17:04:40 查看 阅读:8

GA1210Y223MBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
  这款芯片通过优化栅极电荷和输出电容参数,进一步提升了效率和可靠性。同时,其坚固的设计结构确保了在严苛环境下的稳定运行,适用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。

参数

型号:GA1210Y223MBAAR31G
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):75nC
  总电容(Ciss):1800pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210Y223MBAAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,减少了功率损耗,提高了系统效率。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,适合高密度功率转换应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内保持性能。
  5. 提供过流保护和短路保护功能,提升整体系统的安全性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该芯片的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器模块。
  6. LED驱动电路中的电流调节元件。

替代型号

GA1210Y222MBAAR31G, IRFZ44N, FDP55N06L

GA1210Y223MBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-