SS0530T/R 时间：2025/8/15 1:44:23 阅读：7

SS0530T/R是一款由台湾半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高频率开关和电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性。其封装形式为SOT-23，适用于表面贴装工艺，适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5.3A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值30mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

SS0530T/R MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。由于其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），该器件在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。
　　此外，SS0530T/R具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在PCB上进行自动化装配，适合用于紧凑型设计，如便携式电子设备和小型电源模块。
　　该MOSFET还具有较强的抗静电能力（ESD保护），提高了器件在操作和运输过程中的可靠性。同时，其高耐压能力确保了在电压波动较大环境下的稳定运行。

应用

SS0530T/R广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的场景中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及各类便携式电子产品中的电源管理模块。
　　在电源管理领域，SS0530T/R可用于高效能的同步整流电路，提升转换效率，减少热量产生。在电机控制和负载开关应用中，其低导通电阻和高电流能力能够有效降低功耗并提升系统稳定性。此外，它也适用于USB电源管理、LED驱动电路以及各种需要高频率开关性能的场合。