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IXFB132N50P3 发布时间 时间:2025/7/24 23:17:20 查看 阅读:5

IXFB132N50P3是一款由IXYS公司生产的高性能功率MOSFET晶体管,属于第三代MOSFET产品系列。该器件专为高功率应用设计,具有优异的热性能和低导通电阻特性,适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。IXFB132N50P3采用了TO-247封装形式,便于散热并适用于大电流操作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):132A
  最大漏源电压(VDS):500V
  导通电阻(RDS(on)):32mΩ
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFB132N50P3具备多项先进的设计特点,使其在高功率应用中表现出色。首先,该器件采用了第三代MOSFET技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。此外,低导通电阻也意味着在相同电流下,该MOSFET的温升更低,有助于提高整体系统的热稳定性。
  其次,IXFB132N50P3具有较高的击穿电压(500V),能够承受较大的电压应力,适用于各种高电压应用,如工业电源、电机驱动和可再生能源系统。其高栅极电压耐受能力(±20V)使得该器件在驱动电路设计上更加灵活,减少了因栅极电压波动而导致损坏的风险。
  该器件的TO-247封装形式具有良好的散热性能,能够有效降低热阻,确保在高负载条件下的稳定运行。同时,该封装也便于安装和维护,适用于模块化设计和高功率密度应用。此外,IXFB132N50P3在开关性能方面表现出色,具有快速的开关速度和较低的开关损耗,适用于高频开关电源和逆变器等应用。
  最后,该MOSFET具有优异的短路和过载保护能力,能够在极端工况下保持稳定运行,从而提高了系统的可靠性和寿命。

应用

IXFB132N50P3广泛应用于多个高功率电子系统中。例如,在工业电源和开关电源(SMPS)中,该器件能够提供高效的电能转换,减少能量损耗并提高系统效率。在电机驱动器和逆变器系统中,IXFB132N50P3的高电流处理能力和快速开关特性使其成为理想的功率开关元件,能够满足高频运行的需求。
  此外,该MOSFET也常用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电变流器中,用于实现高效的能量转换和管理。其高电压和高电流能力使其能够承受恶劣的工作环境,同时保持稳定的性能。
  在电动汽车(EV)和充电基础设施中,IXFB132N50P3也具有广泛的应用潜力,例如用于车载充电器、DC-DC转换器以及电池管理系统中的功率控制模块。其高可靠性和优异的热管理能力使其能够在高负载条件下稳定运行,满足电动汽车对高效率和高可靠性的严苛要求。
  另外,该器件还可用于焊接设备、UPS不间断电源、工业自动化设备和高功率LED照明系统等领域,提供稳定、高效的功率控制解决方案。

替代型号

IXFH132N50P3, IXFK132N50P3, IRFP4668, APTF132N50J

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IXFB132N50P3参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar3™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C132A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 66A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs250nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds18600pF @ 25V
  • 功率 - 最大1890W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装PLUS264?
  • 包装管件