类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：200V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：2x1A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：@ IF=1A, TC=25°C: 0.875V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=200V, TJ=25°C: 200μA；@ VR=200V, TJ=125°C: 10mA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约70°C/W
　　封装：SMA (DO-214AC)

SR200L-6SR的核心特性之一是其低正向导通压降，这主要得益于其肖特基势垒结构。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触形成势垒，而非P-N掺杂结，因此在导通时没有少数载流子的存储效应，从而显著降低了正向压降（VF）。对于SR200L-6SR而言，在1A电流下典型正向压降仅为0.875V左右，远低于同等规格的快恢复二极管或标准整流二极管的1.1V至1.5V范围。这一特性极大地减少了导通损耗，提高了电源转换效率，尤其在低输出电压、高电流的应用中效果更为明显。例如，在12V转5V的DC-DC转换器中，较低的VF意味着更少的能量以热量形式耗散，从而提升了整体能效并降低了散热设计复杂度。
　　另一个关键特性是其高速开关能力。由于肖特基二极管的工作机制不依赖于少数载流子的注入和复合过程，因此其反向恢复时间（trr）几乎可以忽略不计，通常小于10ns。这对于高频开关电源至关重要，因为在高频工作条件下，传统二极管的反向恢复电荷（Qrr）会导致显著的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题。SR200L-6SR凭借其快速响应能力，有效避免了这些问题，使得电源系统可以在更高频率下运行，进而减小磁性元件和滤波电容的体积，实现小型化设计。此外，快速开关还提升了系统的动态响应性能，有助于维持输出电压的稳定性。
　　SR200L-6SR采用SMA表面贴装封装，具有较小的物理尺寸（典型尺寸约为4.5mm x 2.6mm x 2.2mm），非常适合自动化贴片生产和高密度PCB布局。该封装具备良好的热传导性能，能够通过PCB焊盘将热量有效传递出去，增强散热能力。同时，器件支持工作结温高达+150°C，表明其可在较宽的环境温度范围内可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等对温度适应性要求较高的场景。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流，尤其是在高温条件下，但SR200L-6SR通过优化工艺设计，在200V反压和125°C结温下仍将漏电流控制在10mA以内，平衡了性能与可靠性之间的关系。

SR200L-6SR广泛应用于各类电力电子和电源管理系统中，尤其是在需要高效、紧凑和高频操作的场合。一个典型的应用是在开关模式电源（SMPS）中作为次级侧整流二极管使用。在反激式或正激式拓扑结构中，SR200L-6SR可被用于输出整流，利用其低正向压降减少功耗，提高整体转换效率。相较于传统的超快恢复二极管，它不仅降低了导通损耗，还因极短的反向恢复时间而减少了开关节点的振铃现象，从而改善了电磁兼容性（EMC）表现。
　　在DC-DC转换器模块中，SR200L-6SR常用于同步整流架构中的续流路径，特别是在非同步降压或升压电路中替代MOSFET体二极管，以降低启动阶段的损耗。由于其双二极管共阴极结构，单个SR200L-6SR即可服务于双路输出或多相供电系统，简化了电路布局并节省了PCB空间。此外，该器件也适用于电池充电电路、LED驱动电源以及逆变器中的钳位和保护功能。
　　在消费类电子产品如笔记本电脑适配器、手机充电器、液晶电视电源板中，SR200L-6SR因其高性价比和稳定性能成为常用选型之一。在工业领域，它可用于PLC电源单元、电机驱动器的续流保护以及太阳能微型逆变器中的防反接电路。由于其具备一定的浪涌电流承受能力（30A），也能应对电源上电瞬间的冲击电流，增强了系统的鲁棒性。总之，SR200L-6SR凭借其综合性能优势，在中小功率电源系统中扮演着重要角色。

MBR2U100CT
　　SB200MCT
　　SK200AHE3/54
　　VS200-6R
　　B2U093