DMA90U1800LB 时间：2025/8/5 19:28:08 阅读：20

DMA90U1800LB 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET晶体管，属于DMOS系列，适用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的沟槽栅极和场效应对结构技术，以实现低导通电阻（Rds(on)）和高效率的功率转换。该MOSFET常用于电源管理、工业电机驱动、电源转换器以及汽车电子系统等高性能功率应用中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900 V
　　最大漏极电流（Id）：12 A（在25°C）
　　最大导通电阻（Rds(on)）：1.8 Ω
　　最大功耗（Ptot）：125 W
　　栅极电荷（Qg）：62 nC
　　漏源击穿电压（BVDSS）：900 V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

特性

DMA90U1800LB 具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率电子系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为1.8Ω，可显著降低传导损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达900V的漏源电压，能够在高电压环境下稳定运行。此外，DMA90U1800LB 的封装形式为TO-247，提供了良好的散热性能，适用于高电流应用。该MOSFET的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率。同时，它具有良好的热稳定性和抗过载能力，确保在极端条件下的可靠性。DMA90U1800LB 还具备低门极电荷（Qg）和快速开关特性，适合用于高频转换器和功率因数校正（PFC）电路。