时间：2025/8/13 14:41:17
阅读：17
SB880-HE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用高性能的SuperMESH技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于各种开关电源、DC-DC转换器和负载管理电路。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：110A
漏极-源极电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：12.5mΩ（最大值）
功耗（Ptot）：300W
封装形式：TO-262
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
SB880-HE 采用先进的PowerMESH技术，提供极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。
其高电流承载能力和低导通电阻特性使其非常适合用于高功率密度设计。
该MOSFET具有优异的热性能，可确保在高负载条件下稳定运行。
此外，SB880-HE具备高dv/dt抗扰度，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
它还具备良好的雪崩能量承受能力，防止因瞬态电压尖峰而导致的器件损坏。
该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计要求。
SB880-HE 主要用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电电路和负载开关控制。
在工业自动化和电机控制应用中，它可以作为高效率的功率开关使用。
该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）。
由于其高可靠性和高效率，SB880-HE也适用于通信设备和服务器电源设计。
在消费类电子产品中，如高性能电源适配器和大功率LED驱动器中也有广泛应用。
IRF1405, FDP1405, STP110NF55
