时间：2025/5/24 14:15:15
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SUM85N03-07P 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适用于多种电力电子领域。其封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合在空间受限的应用中使用。
该型号主要面向电源管理、电机驱动、信号切换以及其他需要高效功率转换的场景。由于其优异的电气性能和可靠性，SUM85N03-07P 成为许多设计工程师的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-23
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.1A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ(典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：420mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
SUM85N03-07P 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 提高了效率并减少了功率损耗。
2. 高速开关能力使其能够适应高频电路需求。
3. 小巧的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间。
4. 宽泛的工作温度范围增强了其在恶劣环境下的适用性。
5. 出色的雪崩能力和 ESD 保护提高了整体系统的可靠性。
这些特性使得 SUM85N03-07P 在众多电力电子应用中表现出色，尤其是在对效率和小型化有严格要求的情况下。
SUM85N03-07P 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和功率因数校正 (PFC)。
2. 便携式设备中的负载开关和电池管理。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 背光驱动和 LED 照明系统。
5. 数据通信和网络设备中的信号切换。
凭借其卓越的性能和灵活性，SUM85N03-07P 成为这些应用的理想解决方案。
SUM85N03-07T, BSS138, AO3400
