SQM50N04-5M0-GE3 时间：2025/6/18 21:43:45 阅读：3

SQM50N04-5M0-GE3 是一款 N 沣道晶体管（N-Channel MOSFET），主要用于功率转换、负载开关和保护电路等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，能够满足高效率和高性能的设计需求。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263 (D2PAK)，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：5mΩ
　　栅极电荷：29nC
　　开关时间：典型值 t_on=17ns，t_off=18ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

SQM50N04-5M0-GE3 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，可支持高频开关应用，同时降低开关损耗。
　　3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 热增强型 D2PAK 封装，改善了散热性能。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　这些特性使得 SQM50N04-5M0-GE3 成为高效功率管理的理想选择。

应用

该器件适用于以下应用领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 直流/直流转换器（DC-DC Converter）的主开关或续流二极管替代。
　　3. 电机驱动器中的功率级元件。
　　4. 负载开关和电池保护电路。
　　5. 电信设备中的功率分配和保护模块。
　　SQM50N04-5M0-GE3 凭借其出色的性能和可靠性，能够在上述应用中提供稳定且高效的解决方案。