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STGWT60H65FB 发布时间 时间:2025/7/22 5:27:34 查看 阅读:7

STGWT60H65FB是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高电压和高电流应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于各种工业和电力电子设备。STGWT60H65FB采用了先进的沟槽栅技术和场截止(Field Stop)设计,以提高效率和可靠性。

参数

最大集电极-发射极电压(VCES):650 V
  最大集电极电流(IC):80 A(在Tc=25°C)
  最大工作温度:150°C
  导通压降(VCEsat):典型值2.1 V(在IC=60 A时)
  短路耐受能力:6 μs
  封装类型:TO-247
  栅极电荷(Qg):典型值85 nC
  输入电容(Cies):典型值2700 pF

特性

STGWT60H65FB具备多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高击穿电压(650 V)允许在高电压条件下稳定运行,适用于工业电机驱动和电源转换系统。其次,该IGBT的导通压降较低,典型值为2.1 V,在高电流下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。此外,STGWT60H65FB具备出色的短路耐受能力,可承受高达6 μs的短路冲击,增强了器件在异常工况下的可靠性。其TO-247封装提供良好的散热性能,适用于高功率密度设计。该器件还具备低开关损耗,适合高频开关应用,例如逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  该IGBT的栅极驱动要求适中,推荐的栅极驱动电压为+15 V和-15 V,以确保快速而稳定的开关操作。此外,STGWT60H65FB的热阻(RthJC)较低,有助于在高负载条件下保持芯片温度在安全范围内。该器件还具有良好的电磁兼容性(EMC)性能,减少对外部电路的干扰。由于其坚固的设计和优良的热管理能力,STGWT60H65FB适用于各种苛刻的工业环境。

应用

STGWT60H65FB广泛应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。其主要应用包括工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊设备以及感应加热系统。在电机控制应用中,该IGBT能够提供高效的能量转换和精确的电流控制,确保电机运行平稳且节能。在可再生能源系统中,如太阳能和风能转换系统,STGWT60H65FB可用于直流到交流的逆变环节,实现高效的能量回馈电网。此外,该器件也适用于高功率开关电源和电能质量调节设备,满足现代工业对高效、高可靠性的需求。

替代型号

SGW40N60WD, FGA60N65SMD, STGWA60H65FB

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STGWT60H65FB参数

  • 现有数量393现货
  • 价格1 : ¥41.58000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)240 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,60A
  • 功率 - 最大值375 W
  • 开关能量1.09mJ(开),626μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷306 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值51ns/160ns
  • 测试条件400V,60A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3P