类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：100V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤8.5mΩ（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

MP105GNZ的主要特性包括低导通电阻、高开关速度、优异的热性能以及高可靠性。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，从而降低整体功耗和温升。高开关速度则使其适用于高频开关应用，进一步缩小外围元件的尺寸并提升系统响应速度。
　　此外，MP105GNZ具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，满足工业和汽车电子对器件耐高温的要求。其TO-252封装不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的栅极驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。MP105GNZ还具有较强的短路耐受能力，能在短时间内承受较高的电流冲击，增强了系统的稳定性和安全性。

MP105GNZ广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器以及负载开关等。
　　在工业自动化领域，MP105GNZ可用于高性能伺服驱动器和PLC（可编程逻辑控制器）中的电源管理模块。在新能源领域，该器件适用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换电路。同时，MP105GNZ也广泛应用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器模块，提供高效率和高可靠性的电力转换解决方案。

IRF1405, SiR100N, FDP100N10