时间：2025/10/6 23:15:43
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UPM2D3R3MPD是一款由罗姆（ROHM）公司生产的通用P沟道MOSFET，采用小型表面贴装封装（通常为S-Mini或类似小型化封装），适用于便携式电子设备和高密度电路板设计。该器件主要用于电源管理、负载开关、电池供电系统以及信号切换等应用场合。其设计重点在于低导通电阻、低漏电流和良好的热稳定性，能够在有限的空间内提供可靠的开关性能。UPM2D3R3MPD的命名遵循ROHM的标准命名规则，其中部分字母和数字代表了器件的类型、额定电压、导通特性及封装形式。该MOSFET特别适合在需要节能和高效能转换的低压直流电路中使用，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品。由于其P沟道结构，在栅极施加低电平时可实现导通，简化了驱动电路的设计，尤其适用于高边开关配置。此外，该器件符合RoHS环保要求，并具备良好的抗静电能力，增强了在实际应用中的可靠性。
型号：UPM2D3R3MPD
类型：P沟道MOSFET
连续漏极电流（ID）：-2.3A
漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
导通电阻（RDS(on)）：37mΩ @ VGS = -4.5V；45mΩ @ VGS = -2.5V
输入电容（Ciss）：约330pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：S-Mini（双引脚无引线封装）
功率耗散（Pd）：1W（TC=25°C）
栅极电压最大额定值（VGSS）：±8V
UPM2D3R3MPD具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=-4.5V条件下RDS(on)仅为37mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，在较低驱动电压（如-2.5V）下仍能保持45mΩ的低导通电阻，说明该器件具有良好的低电压驱动能力，兼容现代低电压逻辑控制信号，适用于1.8V、2.5V或3.3V控制系统。
该MOSFET采用先进的沟槽型工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力。其小型S-Mini封装不仅节省PCB空间，还通过优化内部引线结构降低了寄生电感和电阻，从而改善高频开关性能。此外，该封装具备良好的散热性能，可在较高环境温度下稳定运行。
器件的栅极氧化层经过严格工艺控制，确保了高可靠性和长寿命，能够承受反复的开关操作而不发生性能退化。其阈值电压范围适中（-1.0V至-2.5V），避免了因噪声干扰导致的误开启，提升了系统稳定性。输入电容较小（约330pF），意味着驱动电路所需提供的充放电能量较少，进一步降低了驱动损耗。
UPM2D3R3MPD还具备良好的抗ESD能力，典型人体模型（HBM）耐压可达2000V以上，增强了在自动化装配和现场使用中的鲁棒性。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分要求，使其不仅可用于消费电子，也可应用于对可靠性有一定要求的工业或车载辅助系统。
UPM2D3R3MPD广泛应用于各类低电压、小功率的开关和电源管理场景。常见用途包括便携式电子设备中的电池电源开关，用于控制主电源通断以实现节能待机功能。在多电源系统中，它可用于电源选择开关，自动切换主备电源，保障系统持续供电。此外，该器件也常被用作负载开关，控制特定模块（如传感器、显示屏背光、无线通信模块）的供电，在不需要时切断电源以降低静态功耗。
在DC-DC转换器电路中，UPM2D3R3MPD可作为同步整流管或高端开关使用，特别是在非隔离式降压变换器中，配合N沟道MOSFET实现高效的能量转换。由于其快速的开关响应能力和低寄生参数，适合工作在几十kHz到数百kHz的开关频率范围内。
该器件还适用于过流保护电路和热插拔控制电路，利用其可控导通特性限制浪涌电流，防止系统上电时产生电压跌落。在信号路由和模拟开关应用中，因其低导通电阻和低漏电流，也能保证信号完整性，减少失真。
由于其小型化封装和高集成度特点，UPM2D3R3MPD非常适合用于智能手机、智能手表、TWS耳机、移动电源、物联网终端设备等对体积和功耗极为敏感的产品中。同时，也可用于工业传感器节点、医疗监测设备和智能家居控制器等需要长期稳定运行的场合。
DMG2301U-7
FDMS7682
AOA4141
Si2301DS
FDC6322L
