类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

PQ1CX61H1ZPF具备多项优良特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其漏源电压（VDS）可达60V，允许在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理应用。栅源电压（VGS）范围为±20V，具备较强的抗电压波动能力，从而提高了器件的可靠性。此外，连续漏极电流（ID）为100mA，尽管电流承载能力有限，但足以应对低功耗电路中的开关控制需求。
　　该器件的功耗为300mW，在SOT-23封装中表现出良好的热稳定性，有助于在紧凑布局中维持较低的工作温度。PQ1CX61H1ZPF的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子系统。其SOT-23封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和焊接，提高了电路设计的灵活性。
　　此外，PQ1CX61H1ZPF具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高电源转换效率。其栅极驱动电压范围宽泛，可兼容多种控制电路设计，简化了外围驱动电路的设计复杂度。总体而言，这款MOSFET适用于对体积和功耗有较高要求的便携式设备和小型电源模块。

PQ1CX61H1ZPF常用于以下应用领域：首先是DC-DC转换器中的同步整流开关，可在低电流环境下实现高效能量转换。其次，该器件适用于电池供电设备中的负载开关控制，用于实现电源的智能管理与节能控制。此外，PQ1CX61H1ZPF也广泛应用于小型电机驱动电路、LED驱动器、传感器控制电路以及各种需要低功耗、高稳定性的开关控制场景。
　　在工业自动化系统中，该MOSFET可用于PLC模块的输入输出控制单元，实现对执行机构的精准控制。同时，由于其良好的温度稳定性和封装紧凑性，PQ1CX61H1ZPF也被广泛用于汽车电子系统的辅助电源管理模块中，例如车载充电器、灯光控制系统和小型电动执行器的驱动电路中。该器件的多用途性和可靠性使其成为低功耗电路设计中的理想选择。

PQ1CX61H1ZPF的替代型号包括Rohm的PQ1CX61H1VH、PQ1CX61H1ZB、Nexperia的PMV48XP、ON Semiconductor的2N7002、Toshiba的TPC2705F等。