工作电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输出电压精度：±2%（Ta=25°C）
　　输出电流能力：最大300mA
　　静态电流：典型值0.6μA（待机模式下更低）
　　压差电压：典型值110mV（Iout=100mA, Vin=3.0V）
　　输入电容建议值：≥0.47μF（陶瓷电容器）
　　输出电容建议值：≥1.0μF（低ESR陶瓷电容器）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：DFN(PLP)1515-6 (1.5×1.5×0.55mm)
　　引脚数量：6
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　保护功能：内置过流保护、热关断保护
　　稳定性要求：需使用低ESR陶瓷电容以确保环路稳定

R1122N241A-TR-FE具备多项优异的电气与物理特性，使其在众多LDO稳压器中脱颖而出。首先，其超低静态电流特性（典型值仅为0.6μA）极大地延长了电池供电设备的工作寿命，非常适合用于可穿戴设备、物联网终端、无线传感节点等对能效要求极高的应用场景。其次，该器件采用了高增益、低失调的误差放大器结构，配合内部补偿网络，实现了出色的线性调整率和负载调整率，即使在输入电压波动或负载突变的情况下也能维持输出电压的高度稳定。
　　该芯片具备高达70dB的纹波抑制比（PSRR），在1kHz频率下能够有效滤除来自前级电源的噪声干扰，为后级模拟电路或射频模块提供纯净的电源轨。此外，R1122N241A-TR-FE支持使用小型陶瓷电容器（最小1.0μF）进行输出滤波，这不仅降低了外部元件成本，还减小了整体解决方案的占板面积，符合现代电子产品微型化的发展趋势。
　　在动态性能方面，该LDO表现出快速的瞬态响应能力，能够在负载电流从1mA跳变至100mA时迅速恢复输出电压稳定，避免系统因电压跌落而出现复位或通信中断等问题。其内部集成的软启动电路可限制上电过程中的浪涌电流，防止输入电源电压塌陷。同时，芯片内置的过流保护和热关断机制可在异常工作条件下自动切断输出，保护芯片及外围电路免受损坏，提高了整个系统的鲁棒性。得益于DFN(PLP)1515-6的小型封装设计，该器件还拥有良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。

R1122N241A-TR-FE因其高精度、低功耗和小尺寸特性，被广泛应用于多种低功耗电子系统中。常见用途包括为单片机（MCU）、实时时钟（RTC）、传感器模块（如加速度计、温湿度传感器）、蓝牙低功耗（BLE）模块、NFC芯片以及各种便携式消费类电子产品供电。由于其出色的噪声抑制能力和稳定性，它也常用于音频前置放大器、ADC/DAC参考电压源以及无线收发器的供电部分，以减少电源噪声对信号质量的影响。
　　在工业控制领域，该稳压器可用于远程监控终端、智能仪表和低功耗PLC模块中，保障关键电路在宽温环境下可靠运行。在医疗电子设备中，如血糖仪、心率监测器等电池驱动的便携式仪器，R1122N241A-TR-FE能够提供长时间稳定的电源支持，满足严格的能效和安全标准。此外，在智能家居设备如无线门铃、烟雾探测器、电子锁等产品中，该芯片帮助实现低待机功耗和快速唤醒功能，提升用户体验。其小型封装特别适合高度集成的模块化设计，例如SiP（系统级封装）或MCM（多芯片模块）中作为局部电源调节单元使用。

XC6223B241MR-G
　　XC6503-241MR
　　RT9062-24GB