时间：2025/8/5 18:26:43
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IXTD5N100A 是由 IXYS 公司生产的一款高电压 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电池充电器以及电机控制电路。IXTD5N100A 具有高耐压能力，漏源极电压（VDS）高达 1000V，适合用于高电压应用场合。该器件采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源极电压 VDS：1000V
漏极电流 ID：5A（连续）
栅源极电压 VGS：±30V
导通电阻 RDS(on)：典型值 2.8Ω（最大值 3.5Ω）
功耗 PD：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
IXTD5N100A 具备多项优良的电气和热性能。首先，其高 VDS 耐压能力使其适用于高压直流和交流开关应用，例如太阳能逆变器和高压电源系统。其次，该器件的低导通电阻 RDS(on) 有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，IXTD5N100A 的封装设计具有良好的热传导性能，能够有效地将热量散发出去，从而延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。该器件的栅极驱动电路设计相对简单，适用于多种驱动方式，包括脉宽调制（PWM）控制。最后，IXTD5N100A 具有较高的短路耐受能力，可以在一定程度上防止因过载或故障引起的损坏，从而提高了系统的可靠性。
IXTD5N100A 主要应用于需要高压和中等电流能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该器件也可用于照明控制系统、高频变换器和高压电池充电器等场合。
STF5N100M5, FQA5N100, FGP5N100
