SQCB7M510JAJME500 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的场景。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
该型号中的具体参数通过编码定义了其电压等级、封装形式以及性能特点,适用于工业级和消费级电子设备。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS):700V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5.1A
导通电阻(RDS(on)):480mΩ(在 VGS=10V 时)
总功耗(PD):230W
结温范围(TJ):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3
SQCB7M510JAJME500 的主要特性包括:
1. 高耐压能力:700V 的漏源电压使其能够在高压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻:在 VGS=10V 时,RDS(on) 仅为 480mΩ,有助于减少导通损耗。
3. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计提高了开关效率。
4. 高可靠性:符合工业级标准,可在极端温度范围内可靠运行。
5. 封装优势:TO-247-3 封装提供良好的散热性能和机械稳定性。
6. 环保合规性:无铅且符合 RoHS 标准。
SQCB7M510JAJME500 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的辅助电源系统。
6. 其他需要高效率功率转换的应用场景。
SQCB7M510JAIME500
SQDB7M510JAJME500