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K4B4G1646E-BCK0 发布时间 时间:2025/5/22 16:32:26 查看 阅读:1

K4B4G1646E-BCK0 是由三星(Samsung)生产的一款 DDR3L SDRAM 芯片,主要用于需要低功耗内存解决方案的应用场景。该芯片支持 1.35V 的工作电压,具有高密度和高性能的特点,适用于笔记本电脑、平板电脑、嵌入式系统和其他便携式电子设备。
  DDR3L 是 DDR3 的低电压版本,能够在保证性能的同时降低功耗,满足现代电子产品对能效的严格要求。

参数

容量:4Gb (512MBx8)
  类型:DDR3L SDRAM
  工作电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  组织方式:512M x 8
  封装类型:BGA 78-ball
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  I/O 标准:1.35V VTT
  引脚间距:1.0mm

特性

K4B4G1646E-BCK0 提供了出色的性能和低功耗表现。其主要特性包括:
  1. 支持 DDR3L 协议,兼容标准 DDR3 内存接口。
  2. 工作电压为 1.35V,相比传统的 DDR3 内存(1.5V)降低了功耗。
  3. 数据速率达到 1600Mbps,能够满足多种应用场合对高速数据传输的需求。
  4. 高密度设计,单颗芯片即可提供 4Gb 容量。
  5. 封装采用紧凑型 BGA 78 球设计,适合空间受限的应用环境。
  6. 工作温度范围宽广,适应各种严苛的工作环境。
  7. 具有突发长度为 8 和读写延迟可调的功能,可根据具体需求优化性能。

应用

K4B4G1646E-BCK0 主要应用于以下领域:
  1. 笔记本电脑和超极本。
  2. 平板电脑和其他移动设备。
  3. 嵌入式系统,如工业控制、网络通信设备等。
  4. 消费类电子产品,例如智能电视和机顶盒。
  5. 医疗设备和汽车电子系统。
  由于其低功耗和高性能特点,这款芯片非常适合用于对续航能力和散热性能有较高要求的场景。

替代型号

K4B4G1646E-BCK0J, K4B4G1646E-BCK0H

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