SQ45323R3KSB 时间：2025/12/28 21:30:51 阅读：11

SQ45323R3KSB是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，能够在高频率下高效运行。SQ45323R3KSB封装为PowerPAK SO-8，适合空间受限的设计，同时具备良好的热管理能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：20A（在25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：最大8.5mΩ（在VGS=10V）
　　栅极电荷(Qg)：22nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

SQ45323R3KSB的核心特性之一是其非常低的导通电阻，使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。该器件采用TrenchFET技术，实现更小的芯片尺寸和更高的电流密度，从而在有限的空间内提供更强的功率处理能力。
　　此外，SQ45323R3KSB具有快速开关特性，能够支持高频操作，减少开关损耗并提高电源转换效率。其栅极电荷(Qg)较低，有助于降低驱动损耗，提高系统响应速度。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，封装设计优化了散热性能，使其在高功率应用中仍能保持稳定运行。该器件的耐用性和可靠性符合工业级标准，适用于各种严苛环境下的应用。
　　由于其高性能特性，SQ45323R3KSB被广泛用于服务器电源、笔记本电脑适配器、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用中。

应用

SQ45323R3KSB适用于多种电源管理应用，包括但不限于：
　　? 服务器和电信设备的电源系统
　　? 笔记本电脑和移动设备的充电电路
　　? 高频DC-DC降压和升压转换器
　　? 负载开关和电源分配系统
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电机驱动和功率控制电路
　　该器件的高效率和高集成度使其成为现代电子设备中不可或缺的功率元件。