BSC0993ND是一款N沟道功率MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于高效能电子电路设计。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:10A
导通电阻:9.3mΩ
总功耗:1.7W
工作温度范围:-55℃至150℃
BSC0993ND具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提升系统效率。
2. 高开关速度,可满足高频应用的需求。
3. 小型化TO-252封装,适合空间受限的设计场景。
4. 较宽的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 内置反向二极管,支持续流功能,适合电机驱动等应用场景。
BSC0993ND广泛应用于多种领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 便携式设备的负载开关。
3. 直流/直流转换器中的功率级开关。
4. 电机驱动电路中的功率输出级。
5. 各种需要高效能开关的工业控制和消费类电子产品中。
BSC0983NDB, IRF740, FQP27P06