型号：K4S280832E-UC752
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR2 SDRAM
　　容量：2Gb (256MB)
　　组织结构：2M x 32 bits x 4 banks
　　位宽：32位
　　电源电压：1.8V ±0.1V
　　最大时钟频率：375 MHz
　　数据速率：750 Mbps (DDR)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：BGA
　　引脚数：90-ball
　　访问时间：约5.3ns
　　刷新模式：自动/自刷新
　　突发长度：可编程（1, 2, 4, 8）
　　CAS延迟：CL=5 或 CL=6
　　兼容标准：JEDEC JESD21-C, JESD79-2F

K4S280832E-UC752 具备多项关键特性，使其在中高端嵌入式系统和工业应用中表现出色。首先，其采用 DDR2 技术架构，支持在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，实现了双倍数据速率传输，显著提升了内存带宽利用率。在典型工作条件下，该芯片可在 375MHz 的时钟频率下运行，提供高达 750Mbps 的数据传输速率，满足多数中等性能处理器对高速数据交换的需求。其次，该芯片具有低功耗设计特点，核心电压仅为 1.8V，相较于早期的 DDR 标准进一步降低了功耗，有助于延长便携式设备的续航时间并减少系统热负荷。
　　该器件内部结构为 2M x 32 位 x 4 个存储体（banks），总容量达到 2Gb（即 256MB），以 32 位数据宽度输出，适用于需要较大内存缓冲的应用场景，如图像处理、网络数据包缓存和实时操作系统运行空间。每个存储体可以独立激活和访问，提高了并发操作能力，减少了等待时间。芯片支持可编程突发长度（1、2、4、8），用户可根据具体应用需求配置最佳的数据传输模式，优化系统性能。
　　K4S280832E-UC752 还集成了自动刷新和自刷新功能，确保在长时间运行过程中保持数据完整性。自动刷新由外部控制器定期触发，而自刷新模式则允许芯片在系统休眠状态下自主管理刷新周期，极大降低了待机功耗。此外，该芯片具备温度补偿刷新（TCR）功能，能够根据芯片内部温度变化调整刷新频率，在高温环境下增加刷新次数以防止数据丢失，低温时则降低刷新频率以节省能耗。
　　该芯片采用 90 球 BGA 封装，具有优异的电气特性和热稳定性，适合高密度表面贴装工艺，便于实现小型化设计。其工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能在恶劣环境中稳定运行，适用于户外通信设备、车载系统和工业自动化设备。所有控制信号均与时钟同步，支持精确的时序控制，配合锁相环（DLL）技术实现数据输出对齐，提升系统整体稳定性。

K4S280832E-UC752 主要应用于需要中等容量、高可靠性及良好性能表现的电子系统中。常见应用领域包括网络通信设备，如企业级路由器、千兆以太网交换机和光纤接入终端，这些设备在处理大量数据包转发任务时依赖高速缓存来保证低延迟和高吞吐量，该芯片提供的 256MB 容量和 750Mbps 数据速率恰好满足此类需求。在工业自动化控制系统中，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块，作为程序运行内存或数据暂存区，支持实时任务调度与多任务并行处理。
　　消费类电子产品也是其重要应用方向之一，例如数字机顶盒、智能电视、多媒体播放器等设备使用该芯片来加载操作系统、缓存音视频流和运行图形界面程序。由于其低功耗特性，也适用于部分便携式医疗监测仪器，如手持超声仪、心电图记录仪等，这类设备既要求较长电池续航，又需快速响应用户操作和采集生理信号。
　　此外，在测试测量仪器、POS终端、安防监控DVR/NVR主机等领域，K4S280832E-UC752 因其稳定的性能和宽温工作能力而被广泛采用。在一些基于 ARM、PowerPC 或 MIPS 架构的嵌入式主板上，该芯片常作为主内存组件与处理器协同工作，支撑 Linux 或实时操作系统（RTOS）的运行。得益于其 JEDEC 标准兼容性，系统设计人员可以方便地进行替代选型和电路设计复用，缩短产品开发周期。

K4S281632E-UC75
　　K4X2G323TE-UCGC
　　MT47H64M32LF-6:P