类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：25V
　　导通电阻 RDS(on)：1.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压 VGS(th)：1V ~ 3V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
　　功耗（Ptot）：130W
　　漏极与源极之间的最大耗散功率：130W
　　输入电容（Ciss）：2900pF（典型值）

PSMN1R2-25YLC 采用先进的 Trench MOS 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低导通损耗，提高整体能效。该器件的 RDS(on) 仅为 1.2mΩ，适合用于需要高电流处理能力的场合，例如同步整流、负载开关和电池管理系统等。
　　此外，该 MOSFET 使用 LFPAK56 封装，这是一种无引脚的表面贴装封装，具有良好的热管理和电气性能。LFPAK56 封装采用双面散热设计，有助于提高散热效率，使得该器件在高功率密度设计中表现出色。
　　PSMN1R2-25YLC 的最大漏极电流可达 120A，在 VGS=10V 时具备优异的饱和特性，确保在大电流负载下仍能保持稳定工作。其栅极阈值电压范围为 1V ~ 3V，适用于多种栅极驱动电路设计，兼容标准逻辑电平驱动器。
　　该 MOSFET 具有较高的工作温度耐受能力，工作温度范围可达 -55°C 至 +175°C，适用于各种恶劣工作环境。同时，其最大栅极电压为 ±20V，确保在不同驱动条件下具备良好的抗干扰能力。
　　PSMN1R2-25YLC 的输入电容为 2900pF（典型值），在高频开关应用中表现出较低的开关损耗，适用于高频率 DC-DC 转换器和同步整流电路。其低电容特性也有助于降低驱动损耗，提高系统效率。

PSMN1R2-25YLC 适用于多种高功率、高效率的电力电子应用，例如服务器电源、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动、负载开关、同步整流电路以及电源模块等。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高性能电源设计的理想选择。
　　在服务器电源系统中，PSMN1R2-25YLC 可用于同步整流器，显著提高转换效率并降低发热。在电池管理系统中，该器件可用于高电流的充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。在电机驱动电路中，由于其高电流能力和低导通损耗，可以有效提升电机的响应速度和运行效率。
　　此外，该器件也可用于高密度电源模块设计，例如 POL（Point of Load）转换器、电源管理 IC（PMIC）外围电路以及汽车电子系统中的功率开关控制。由于其封装具备良好的热管理性能，因此在空间受限的高功率应用中也表现出色。

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