VRH3301NTA 时间：2025/6/5 18:15:56 阅读：7

VRH3301NTA 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，专为高效能开关应用设计。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合用于负载切换、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理等场景。该器件采用小型封装技术，能够有效节省电路板空间。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大连续漏极电流：3.6A
　　导通电阻：5.5mΩ（在 Vgs=10V 的条件下）
　　栅极电荷：11nC
　　总电容：480pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

VRH3301NTA 提供了低导通电阻和高效率的开关性能，有助于减少功率损耗并提高系统整体效率。
　　该器件具有非常低的输入电容和输出电容，可以显著提升开关速度，从而降低开关损耗。
　　其逻辑电平驱动功能允许直接由微控制器或其他低电压信号源控制，无需额外的驱动级电路。
　　此外，它还具备强大的热稳定性和电气可靠性，能够在极端温度条件下保持稳定的性能。
　　采用行业标准的小型表面贴装 TO-252(DPAK) 封装，简化了 PCB 设计和制造过程。

应用

VRH3301NTA 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 笔记本电脑和平板电脑中的电源管理模块。
　　2. 手机和其他便携式电子产品的电池保护电路。
　　3. DC-DC 转换器及降压稳压器设计。
　　4. 电机驱动器中的开关元件。
　　5. 固态继电器与负载切换解决方案。
　　6. 各种工业自动化控制和汽车电子系统。