VRH3301NTA 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET,专为高效能开关应用设计。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合用于负载切换、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理等场景。该器件采用小型封装技术,能够有效节省电路板空间。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:3.6A
导通电阻:5.5mΩ(在 Vgs=10V 的条件下)
栅极电荷:11nC
总电容:480pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
VRH3301NTA 提供了低导通电阻和高效率的开关性能,有助于减少功率损耗并提高系统整体效率。
该器件具有非常低的输入电容和输出电容,可以显著提升开关速度,从而降低开关损耗。
其逻辑电平驱动功能允许直接由微控制器或其他低电压信号源控制,无需额外的驱动级电路。
此外,它还具备强大的热稳定性和电气可靠性,能够在极端温度条件下保持稳定的性能。
采用行业标准的小型表面贴装 TO-252(DPAK) 封装,简化了 PCB 设计和制造过程。
VRH3301NTA 广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 笔记本电脑和平板电脑中的电源管理模块。
2. 手机和其他便携式电子产品的电池保护电路。
3. DC-DC 转换器及降压稳压器设计。
4. 电机驱动器中的开关元件。
5. 固态继电器与负载切换解决方案。
6. 各种工业自动化控制和汽车电子系统。
VRN3301NTA, FDP16N03L, IRLZ44N