时间：2025/3/27 14:38:02
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SQ4284EY-T1-GE3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能，能够有效提升系统的效率与可靠性。
这款器件的工作电压范围较宽，适用于多种应用场景，同时其封装设计便于散热，进一步提升了产品的使用寿命和稳定性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总功耗(Ptot)：150W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
SQ4284EY-T1-GE3 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗，从而提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 75A 的连续漏极电流，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，降低开关损耗并提升高频工作下的表现。
4. 强大的散热能力，得益于 TO-247-3 封装设计，确保在高负载条件下稳定运行。
5. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应各种恶劣环境条件。
6. 内置反向恢复二极管，减少开关噪声并优化动态性能。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
SQ4284EY-T1-GE3 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 各类电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 电动车及混合动力汽车的动力管理系统。
6. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
SQ4284EY-T1-G, SQ4284EY-T1-GE, IRF7844PBF
