时间：2025/6/16 12:19:22
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PST576D是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。其封装形式为TO-220，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：16A
导通电阻：0.09Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：开启时间 88ns，关断时间 36ns
PST576D具备低导通电阻特性，能够在高电流应用中减少功率损耗，提升散热性能。同时，该器件具有较快的开关速度，适合高频应用环境。此外，其坚固的设计结构使其在恶劣的工作条件下也能保持稳定性能。
由于采用了先进的制造工艺，PST576D的热阻较低，有助于简化散热设计并减少额外的散热成本。其额定工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于工业级和汽车级应用场景。
PST576D主要应用于各种功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 负载开关
- 电池保护电路
- 电信及网络设备中的功率管理模块
由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET特别适合需要高效能量转换和快速响应的应用场景。
IRF540N
STP16NF06L
FDP15U60E
