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SQ2309ES-T1_BE3 发布时间 时间:2025/5/7 15:06:03 查看 阅读:6

SQ2309ES-T1_BE3 是一款基于硅工艺制造的高频开关二极管,广泛应用于高频电路中的整流、检波和开关操作。该器件具有快速恢复时间和低正向压降的特点,使其在高频应用中表现出色。
  这款二极管通常用于通信设备、网络基础设施以及各种消费类电子产品中的高频信号处理场景。

参数

最大反向工作电压:80V
  最大正向电流:1A
  典型正向电压:0.7V
  最大反向漏电流:5μA(在25℃下)
  最大功耗:2W
  结电容:4pF
  恢复时间:12ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SQ2309ES-T1_BE3 具有非常低的正向电压降,从而减少了功率损耗并提高了效率。其超快的恢复时间确保了在高频应用中的卓越性能。此外,它还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。
  由于采用了先进的封装技术,该器件具有良好的散热性能和抗潮湿能力,适合在恶劣环境下使用。
  另外,它的结电容较小,有助于减少信号失真,非常适合于高速数据传输和射频应用。

应用

SQ2309ES-T1_BE3 主要应用于高频整流、开关电源、逆变器、电机驱动器、DC-DC转换器等电路中。此外,它也适用于通信设备中的射频检测和调制解调功能。
  在消费电子领域,这款二极管可用于音频放大器、视频处理器以及无线通信模块等产品中。凭借其高可靠性和快速响应能力,该器件在工业自动化系统及汽车电子控制单元中也有广泛应用。

替代型号

SQ2309ES-T1
  SMBJ80A
  1N5819

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SQ2309ES-T1_BE3参数

  • 现有数量15,046现货
  • 价格1 : ¥5.33000剪切带(CT)3,000 : ¥1.87867卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.7A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)335 毫欧 @ 1.25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)265 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3