型号：DAN403
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOT-26
　　晶体管类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：@ VGS = 10V, 每通道约1.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：@ VGS = 10V, 每通道约7.2A
　　导通电阻(RDS(on))：@ VGS = 10V, 典型值约55mΩ；@ VGS = 4.5V, 典型值约75mΩ
　　栅极阈值电压(VGS(th))：典型值1.3V，最大值2.3V
　　栅极电荷(Qg)：典型值5.5nC @ VDS = 15V, ID = 1.8A
　　输入电容(Ciss)：典型值390pF @ VDS = 15V, VGS = 0V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C (TJ)
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

DAN403的核心优势在于其双N沟道MOSFET集成设计，这使得它在空间受限的应用中表现出色。每个MOSFET均具备低导通电阻特性，在VGS=10V时RDS(on)典型值仅为55mΩ，而在更低的驱动电压VGS=4.5V下也能保持约75mΩ的低阻值，这意味着即使在低压控制系统中（例如由微控制器直接驱动），仍能实现高效的功率传输和较小的能量损耗。这对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池寿命并减少发热问题。
　　该器件的栅极阈值电压范围为1.3V至2.3V，确保了与现代低电压逻辑电路的良好兼容性，尤其是3.3V CMOS或TTL逻辑输出可以直接控制该MOSFET而无需额外的电平移位器。这一特性显著简化了电路设计流程，减少了外围元件数量，提高了系统的可靠性和可制造性。同时，较低的输入电容（Ciss典型值390pF）意味着驱动所需的电流更小，减轻了驱动源的负担，也加快了开关速度，有利于高频开关应用。
　　SOT-26封装是DAN403另一个关键特性。这是一种6引脚的小型表面贴装封装，体积小巧，非常适合高密度PCB布局。尽管尺寸小，但该封装仍然提供了足够的散热能力，结合合理的PCB布局（如添加热焊盘连接地层），可以在一定程度上支持较高的持续电流输出。此外，DAN403具有高达+150°C的最大结温，表明其在高温环境下依然能够稳定运行，适用于工业级环境条件下的应用。
　　器件内部两个MOSFET相互隔离，允许独立控制，可用于构建H桥驱动、负载开关、电源多路复用或信号路由等功能。其快速开关响应能力和良好的动态性能使其适用于DC-DC转换器、LED驱动、电机控制等场景。总体来看，DAN403通过将高性能参数与小型化封装相结合，为设计师提供了一个灵活且高效的功率开关解决方案。

DAN403因其双N沟道MOSFET结构和小型封装，被广泛应用于多种电子系统中。一个典型用途是在便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备。在这些设备中，常常需要对不同的功能模块进行独立供电控制以节省能耗，DAN403可以作为负载开关来切断不用的子系统的电源路径，从而实现低功耗待机模式。由于其低RDS(on)和低驱动电压要求，非常适合这类由锂电池供电（通常为3V~4.2V）的系统。
　　另一个重要应用是直流电机驱动或继电器驱动电路。虽然DAN403单个通道的电流承载能力有限（约1.8A连续），但对于微型直流电机或低功率电磁阀来说已经足够。配合适当的驱动电路和保护二极管，它可以用于构建简单的H桥拓扑，实现电机正反转控制。此外，在自动测试设备、传感器模块或多路信号选择器中，DAN403也可用作模拟开关或数字信号路由元件，利用其快速开关特性完成信号通断控制。
　　在电源系统方面，DAN403可用于同步整流型DC-DC降压变换器中作为下管开关，替代传统的肖特基二极管以提高转换效率。尤其是在轻载或中等负载条件下，其低导通损耗能显著降低整体功耗。此外，它还可用于ORing电路（电源冗余切换）、热插拔控制或电池充放电路径管理等场合。工业控制面板、智能仪表和嵌入式控制系统中也常见其身影，用于实现IO扩展、LED指示灯驱动或多路电源选择。
　　得益于SOT-26封装的小型化特点，DAN403特别适合用于空间极其紧张的高密度PCB设计，如模块化电路板、无线通信模块或微型传感器节点。综上所述，DAN403凭借其高集成度、低功耗特性和广泛的电压兼容性，成为众多中小型功率开关应用的理想选择。

SI2302DS