时间：2025/6/3 9:16:30
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SPW55N80C3是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。其设计能够承受高电流负载，并提供高效的功率转换能力。
型号：SPW55N80C3
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(Vds)：800V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：5.5A
导通电阻(Rds(on))：1.6Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：140W
工作结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
SPW55N80C3具备以下特点：
1. 高击穿电压（800V），适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻（1.6Ω），有助于降低功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能，适用于高频电路。
4. 稳定的热性能，在高温条件下仍能保持良好的运行状态。
5. 封装形式为TO-220，易于安装并提供良好的散热能力。
6. 广泛的工作结温范围（-55℃至+175℃），适应各种极端温度环境。
SPW55N80C3主要应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 逆变器和UPS系统。
4. 各种工业设备中的功率管理模块。
5. LED驱动器和其他需要高效功率处理的应用。
6. 电池充电器及保护电路。
SPW56N80C3, IRF840, STP55NF06L
