时间：2025/9/6 9:04:19
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B3200B-TR是一款由Diodes公司（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于需要高可靠性和高性能的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：6.5A
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：20mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
B3200B-TR MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在2.5V至4.5V之间有效工作，使其适用于多种控制器和驱动电路。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在较恶劣的工作环境下保持稳定运行。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中使用。
该器件的另一个显著特点是其优异的开关性能，具有快速的导通和关断时间，减少了开关损耗，从而提高了整体电源系统的效率。此外，B3200B-TR具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，使其在高可靠性要求的应用中表现稳定。
B3200B-TR MOSFET广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备、LED照明驱动电路以及各种低电压高电流的开关控制电路。由于其优异的导通特性和小型化封装，特别适合用于需要高效能和紧凑设计的便携式设备和嵌入式系统中。
Si2302DS, 2N7002, BSS138
