时间：2025/5/20 11:22:15
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SPW21N50C3是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用N沟道增强型结构。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场合。SPW21N50C3具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低热损耗。
其封装形式为TO-247，适合高功率密度应用环境。该器件在设计上充分考虑了高温稳定性及可靠性，因此适用于工业级和汽车级应用领域。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：21A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1620pF
开关频率：高达100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SPW21N50C3的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通状态下的功耗。
2. 高速开关性能，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 强大的雪崩能力，提供更高的系统鲁棒性。
4. 热稳定性好，在极端温度条件下表现优异。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 具备良好的电气隔离和抗电磁干扰能力。
SPW21N50C3适用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 各种工业设备中的功率调节模块。
5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
6. LED照明驱动器中的功率管理单元。
IRFP460, STP21NF50, FGA21N50SMD
