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SPV1001N40 发布时间 时间:2025/7/22 13:01:58 查看 阅读:6

SPV1001N40 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽栅技术,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关等应用场景。SPV1001N40 是一款N沟道MOSFET,设计用于在高电流和高频率条件下提供出色的性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A(在Tc=25℃时)
  脉冲漏极电流:40A
  导通电阻(Rds(on)):最大4.2mΩ(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:PowerFLAT 5x6(DFN5x6)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

SPV1001N40 MOSFET 具备多项高性能特性,使其在现代电源系统中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。在Vgs=10V时,Rds(on)最大为4.2mΩ,使得该器件在高电流条件下依然能保持较低的功率损耗。
  其次,该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,提高了开关速度并减少了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流电路。
  此外,SPV1001N40采用PowerFLAT 5x6封装,具有优良的热性能和紧凑的尺寸,适用于高密度PCB布局。该封装还具备较低的热阻(Rth),有助于有效散热,从而提高器件的可靠性和使用寿命。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),使其兼容多种驱动电路设计,并具有良好的抗干扰能力。
  最后,SPV1001N40具有宽工作温度范围(-55℃至175℃),适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。

应用

SPV1001N40 主要应用于高效率电源管理系统中,尤其是在需要高电流和高频率操作的场景。
  在DC-DC转换器中,SPV1001N40可作为主开关或同步整流器使用,其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率,适用于服务器电源、电信设备电源和嵌入式系统电源等应用。
  在负载开关应用中,SPV1001N40可作为高侧或低侧开关,用于控制电源供应,适用于电池管理系统、电源管理IC(PMIC)外围电路以及便携式电子设备中的电源控制。
  此外,该器件还可用于电机驱动电路、LED驱动器和汽车电子系统中的功率管理模块,满足对高可靠性和高效率的严格要求。
  由于其优异的热性能和紧凑的封装尺寸,SPV1001N40也适用于空间受限且对散热要求较高的应用,如工业自动化设备、智能电表和物联网(IoT)设备。

替代型号

STL10N40LF、IPW90R045C3、FDMS86180、IRF3710、SiSS54DN

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SPV1001N40产品

SPV1001N40参数

  • 其它有关文件SPV1001N View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型旁通二极管
  • 电压 - (Vr)(最大)40V
  • 电流 - 平均整流 (Io)12.5A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)140mV @ 10A
  • 速度-
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 30V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装8-PQFN(5x6)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-12077-6