SPV1001N40 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽栅技术,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关等应用场景。SPV1001N40 是一款N沟道MOSFET,设计用于在高电流和高频率条件下提供出色的性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A(在Tc=25℃时)
脉冲漏极电流:40A
导通电阻(Rds(on)):最大4.2mΩ(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:PowerFLAT 5x6(DFN5x6)
安装类型:表面贴装(SMD)
SPV1001N40 MOSFET 具备多项高性能特性,使其在现代电源系统中表现出色。
首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。在Vgs=10V时,Rds(on)最大为4.2mΩ,使得该器件在高电流条件下依然能保持较低的功率损耗。
其次,该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,提高了开关速度并减少了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流电路。
此外,SPV1001N40采用PowerFLAT 5x6封装,具有优良的热性能和紧凑的尺寸,适用于高密度PCB布局。该封装还具备较低的热阻(Rth),有助于有效散热,从而提高器件的可靠性和使用寿命。
该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),使其兼容多种驱动电路设计,并具有良好的抗干扰能力。
最后,SPV1001N40具有宽工作温度范围(-55℃至175℃),适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。
SPV1001N40 主要应用于高效率电源管理系统中,尤其是在需要高电流和高频率操作的场景。
在DC-DC转换器中,SPV1001N40可作为主开关或同步整流器使用,其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率,适用于服务器电源、电信设备电源和嵌入式系统电源等应用。
在负载开关应用中,SPV1001N40可作为高侧或低侧开关,用于控制电源供应,适用于电池管理系统、电源管理IC(PMIC)外围电路以及便携式电子设备中的电源控制。
此外,该器件还可用于电机驱动电路、LED驱动器和汽车电子系统中的功率管理模块,满足对高可靠性和高效率的严格要求。
由于其优异的热性能和紧凑的封装尺寸,SPV1001N40也适用于空间受限且对散热要求较高的应用,如工业自动化设备、智能电表和物联网(IoT)设备。
STL10N40LF、IPW90R045C3、FDMS86180、IRF3710、SiSS54DN