型号：IRFU13N15DPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　拓扑结构：N-Channel
　　漏源电压（VDS）：150 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：12 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：48 A
　　导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = 10 V：180 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = 5 V：250 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：920 pF @ 25 V
　　输出电容（Coss）：270 pF @ 25 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装/外壳：TO-220AB

IRFU13N15DPBF采用了英飞凌先进的功率MOSFET制造工艺，结合了沟道优化与场截止技术，从而实现了低导通电阻与高开关速度之间的理想平衡。这种设计显著降低了导通损耗和开关损耗，提升了整体能效，特别适用于高频开关电源和高效DC-DC变换器。其RDS(on)在10V VGS下仅为180mΩ，意味着在大电流条件下仍可保持较低的温升，有助于提高系统的功率密度并减少散热需求。
　　该器件具备优良的热稳定性和长期可靠性，得益于其坚固的芯片结构和高质量的封装材料。TO-220AB封装不仅提供了良好的电气隔离，还具备出色的散热性能，能够通过外部散热片有效传导热量，确保器件在持续高负载下也能安全运行。此外，其高达50W的最大功耗能力使其适用于中等功率级别的应用领域。
　　IRFU13N15DPBF的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为27nC，这使得它易于被驱动电路控制，减少了驱动损耗，并支持更高的工作频率。同时，其输入电容和输出电容较小，有助于减小寄生效应，提升高频响应性能。对于需要快速开关动作的应用如电机控制或同步整流，这些特性尤为重要。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和稳健的短路耐受性，在异常工况下表现出较高的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、汽车电子辅助系统及可再生能源设备等多种严苛应用场景。

IRFU13N15DPBF广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于对效率和可靠性要求较高的场合。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率并减少能量损耗。在电机驱动应用中，该器件可用于控制直流电机或步进电机的启停与调速，凭借其高电流承载能力和良好热性能，确保驱动系统长时间稳定运行。
　　此外，IRFU13N15DPBF也常用于逆变器电路，例如太阳能逆变器或UPS不间断电源系统中的功率级切换部分。其150V的漏源电压等级足以覆盖多数中低压直流母线系统的需求，同时其低RDS(on)有助于降低发热，提升系统整体效率。在工业控制系统中，该器件可用于继电器替代、负载开关或电源管理模块，实现对高功率负载的精确控制。
　　由于其符合RoHS标准且为无铅器件，IRFU13N15DPBF也适用于对环保有严格要求的产品设计。其TO-220封装便于手工焊接与自动化装配，适合中小批量生产和维修替换。因此，无论是消费类电子产品、工业设备还是新能源装置，该MOSFET都能提供可靠的性能支持。

IRF530NPBF, FQP13N15, STP13NK15Z, IRF1404