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SPU04N60C3 发布时间 时间:2025/6/14 8:47:41 查看 阅读:4

SPU04N60C3 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道晶體管(MOSFET),属于 OptiMOS 系列。该器件采用 SOT223 封装形式,适用于开关电源、电机控制和负载切换等应用场合。其设计特点是低导通电阻和高效率,能够在高频开关条件下保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:4.01A
  导通电阻(典型值):150mΩ
  栅极电荷(典型值):18nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT223

特性

SPU04N60C3 的主要特性包括高电压耐受能力(600V)、低导通电阻(150mΩ 典型值),以及优化的动态性能,这使得它非常适合用于高频开关应用。此外,OptiMOS 技术带来的低栅极电荷进一步提高了开关效率,减少了功率损耗。
  该器件具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。同时,由于采用了 SOT223 封装,SPU04N60C3 提供了良好的散热性能,并且易于安装在印刷电路板上。
  在应用中,SPU04N60C3 的快速开关特性和低反向恢复电荷使其成为硬开关和软开关拓扑的理想选择,例如降压/升压转换器、逆变器以及 LED 驱动器等。

应用

SPU04N60C3 广泛应用于多种领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 工业电机控制和驱动系统。
  3. 负载切换和保护电路。
  4. DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  这些应用都得益于 SPU04N60C3 的高效性能和可靠性,确保系统的稳定运行。

替代型号

IPD04N06S3, IXTK40N65P5

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SPU04N60C3参数

  • 数据列表SP(D,U)04N60C3
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C950 毫欧 @ 2.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 200µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds490pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装PG-TO251-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000095850SPU04N60C3-NDSPU04N60C3INSPU04N60C3XSPU04N60C3XK