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SPP11N80C3 发布时间 时间:2025/5/9 8:53:58 查看 阅读:8

SPP11N80C3是英飞凌(Infineon)推出的一款MOSFET功率晶体管,采用TO-247封装形式。该器件属于CoolMOS系列,是一种P沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,适合于需要高效能和稳定性的应用环境。
  该型号的名称中包含了其主要参数信息:SPP表示产品系列为CoolMOS;11代表最大导通电阻值(典型值为0.11Ω);N表示N沟道;80表示额定漏源极电压为80V;C3则表明这是该系列的第三代产品。

参数

漏源极电压(Vds):80V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):0.11Ω
  栅极电荷(Qg):55nC
  输入电容(Ciss):1560pF
  总功耗(Ptot):175W
  结温范围(Tj):-55℃ to 175℃

特性

SPP11N80C3具有以下特点:
  1. 高效性:通过优化的结构设计,降低导通电阻,提高整体效率。
  2. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和输出电荷,使得开关损耗显著减少。
  3. 热稳定性:能够承受较高的工作温度,并且在极端条件下仍能保持稳定的电气性能。
  4. 强大的浪涌能力:支持更高的峰值电流,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  5. 小尺寸与大功率兼备:虽然采用了紧凑型封装,但依然可以处理较大的功率负载。

应用

SPP11N80C3适用于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器、充电器以及工业电源。
  2. DC-DC转换器,如汽车电子系统中的电压调节模块。
  3. 电机控制,例如家用电器或工业设备中的无刷直流电机驱动。
  4. 能量存储系统,用于电池充放电管理电路。
  5. LED照明驱动器,提供高效稳定的电流源。
  此外,还可能用作逆变器、不间断电源(UPS)和其他需要高效功率转换的应用中。

替代型号

IPP11N80C3, IPP11N80CPG, IRF840

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SPP11N80C3参数

  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 7.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 680µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 100V
  • 功率 - 最大156W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000013701SP000683158SPP11N80C3INSPP11N80C3XSPP11N80C3XKSPP11N80C3XTINSPP11N80C3XTIN-ND