类型：N沟道JFET
　　封装类型：TO-92 或 SOT-23（根据具体制造商）
　　漏极电流（IDSS）：典型值约 5mA（在VGS=0V时）
　　截止电压（VGS(off)）：约 -0.5V 至 -5V（不同批次可能略有差异）
　　跨导（gm）：典型值 2.5 mS
　　输入电容（Ciss）：约 5pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大漏极电压（VDSS）：20V
　　最大耗散功率：约 300mW

3SK58的最大优势在于其低噪声特性，这使得它特别适合用于音频前置放大器和高保真音响系统中。该器件的高输入阻抗特性有助于减少对前级电路的负载效应，从而保持信号的完整性和清晰度。此外，3SK58具有良好的线性度和稳定性，能够在较宽的频率范围内保持一致的性能表现，适用于从音频到射频（RF）范围的信号放大应用。
　　由于其结构为JFET，3SK58不需要像MOSFET那样的栅极绝缘层，因此在某些应用中具有更高的可靠性，尤其是在高湿度或高静电环境下。该器件的制造工艺成熟，一致性好，因此在工业控制、测量仪器和消费类电子产品中都有广泛应用。
　　3SK58的工作电压相对较低，通常在20V以内，因此适合用于低压电源系统。其热稳定性较好，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，适用于对温度敏感的应用场景。

3SK58广泛应用于音频放大电路，特别是前置放大器和麦克风放大器中，以提供低噪声和高保真的信号放大。此外，它也常用于模拟信号处理电路、高频振荡器、射频放大器以及各种需要高输入阻抗的模拟电路设计。由于其良好的线性特性和稳定性，3SK58也被用于精密测量仪器、测试设备和传感器接口电路中。在一些需要低功耗、高稳定性的便携式设备中，如吉他效果器、录音设备和无线接收器中，也能看到3SK58的身影。

2SK117, 2N5484, J201