时间：2025/7/23 4:52:35
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N18FVLV 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电路和功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热性能，适用于需要高效率和紧凑设计的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（最大值，在Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
N18FVLV MOSFET具备低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其高电流能力使其适用于高功率密度设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得开关速度更快，从而减少开关损耗。此外，该MOSFET具有良好的热阻性能，能够在高温环境下稳定运行，确保长期可靠性。其TO-252封装形式便于散热，适合PCB表面贴装工艺。N18FVLV还具备强大的短路耐受能力和过温保护特性，适用于各种严苛的工作条件。
该器件的驱动能力较强，可在较宽的温度范围内保持稳定的性能。此外，其低阈值电压（Vgs(th)）使得在较低的控制电压下也能实现完全导通，提高了系统的兼容性和灵活性。
N18FVLV MOSFET常用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、负载开关、电源管理单元以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关应用。由于其高效能和高可靠性，它也广泛应用于汽车电子系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中。
NTMFS4C10N, FDS4410A, IRF3710, Si4410DY
