CJAB25N03 时间：2025/8/17 3:14:38 阅读：5

CJAB25N03是一款由华润华晶微电子（无锡）有限公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。CJAB25N03采用先进的沟槽式工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：25A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤30mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约45nC
　　输入电容（Ciss）：约1600pF
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CJAB25N03具备多项优异特性，适用于多种功率电子系统设计。其核心优势之一是低导通电阻，这使得该MOSFET在高电流工作条件下能够显著降低功耗并提高系统效率。此外，该器件的高电流承载能力（25A）和较低的热阻使其具备良好的热性能，适合在高功率密度环境中使用。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，提高了器件的开关速度和稳定性，从而在高频开关应用中表现出色。同时，其较高的栅极电荷（Qg）值意味着在高速开关应用中需要更强大的驱动能力，但在中低频应用中则能够实现良好的能效平衡。
　　此外，CJAB25N03的封装形式为TO-252（DPAK），这种表面贴装封装形式便于自动化生产和散热设计，同时具备良好的机械强度和热传导性能。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于严苛的工业和汽车电子环境。
　　该器件还具备较高的抗静电能力和良好的短路耐受性，增强了系统运行的稳定性和可靠性。因此，CJAB25N03在电源转换、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备中均有广泛应用。

应用

CJAB25N03广泛应用于各类功率电子设备中，尤其适合需要高效率、高频率开关操作的场景。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电机驱动电路、电池充电器、逆变器以及工业控制设备等。
　　在消费类电子产品中，CJAB25N03常用于电源适配器、移动电源、LED驱动电路等。在工业自动化和控制系统中，该器件可用于PLC模块、伺服电机驱动器、传感器供电管理等场合。
　　由于其良好的热性能和较高的电流能力，CJAB25N03也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器以及电池管理系统（BMS）等。
　　此外，该MOSFET还被广泛用于太阳能逆变器、储能系统以及不间断电源（UPS）等新能源领域中，作为核心的开关元件实现高效的能量转换。