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SPP02N60C3 发布时间 时间:2025/5/21 12:08:56 查看 阅读:3

SPP02N60C3是英飞凌(Infineon)公司生产的MOSFET功率晶体管,属于OptiMOS系列。该器件采用PQFN5x6封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
  该器件的额定电压为600V,适用于高压环境下的电力电子设计,其出色的开关特性和较低的导通损耗使得它成为高性能功率转换的理想选择。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻(典型值):450mΩ
  栅极电荷(典型值):15nC
  开关频率:最高可达500kHz
  封装形式:PQFN5x6
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SPP02N60C3具备以下主要特性:
  1. 高效的OptiMOS技术,提供极低的导通电阻以减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型化的PQFN5x6封装,有助于节省PCB空间。
  4. 内置ESD保护功能,提高了器件在实际应用中的可靠性。
  5. 宽广的工作温度范围,适应多种极端环境下的使用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

SPP02N60C3广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑。
  3. 电机驱动控制电路。
  4. 消费类电子产品中的功率管理模块。
  5. 工业自动化设备中的小型化功率转换部分。
  6. LED照明驱动电路。
  7. 其他需要高效功率转换和小尺寸解决方案的应用场景。

替代型号

IPP026N10N3G, IRFZ44N, FDP16N10

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SPP02N60C3参数

  • 数据列表SPP02N60C3
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 1.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 80µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
  • 功率 - 最大25W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000013523SPP02N60C3INSPP02N60C3XSPP02N60C3XKSPP02N60C3XTINSPP02N60C3XTIN-ND