SPN9926AS8RG 时间：2025/6/20 22:13:02 阅读：4

SPN9926AS8RG是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。它主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及DC-DC转换等场景中，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效提升系统的效率并降低能耗。
　　该器件采用先进的制造工艺，在高温环境下依然能保持稳定的性能表现，同时具备强大的过流保护能力和抗静电能力（ESD），非常适合工业级和汽车级应用环境。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：36A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　栅极电荷：46nC
　　输入电容：1750pF
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247

特性

SPN9926AS8RG的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为1.5mΩ，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
　　2. 快速的开关速度，得益于其较低的栅极电荷（Qg=46nC），有助于减少开关损耗。
　　3. 支持高达175℃的工作温度，适合高温环境下的长期稳定运行。
　　4. 具备优秀的雪崩能力（AVR）和短路耐受能力，增强了可靠性。
　　5. 内置了全面的保护机制，例如热关断保护和过流限制功能，确保在异常情况下不会损坏设备。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　7. 采用坚固耐用的TO-247封装，便于散热管理。

应用

SPN9926AS8RG广泛用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
　　2. 工业设备中的电机驱动和控制电路。
　　3. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）、逆变器和充电装置。
　　4. 高效DC-DC转换器和负载点（POL）调节模块。
　　5. 大功率LED驱动器中的电流调节元件。
　　6. 各种需要高电流承载能力的应用场合，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。