PTB48560A 时间：2025/6/14 9:16:11 阅读：4

PTB48560A是一种高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的应用中。PTB48560A具有较低的导通电阻和快速的开关特性，从而能够有效降低功耗并提升系统效率。
　　该器件采用了先进的制造工艺，在保证高可靠性和稳定性的前提下，还具备良好的热性能和电气性能。其封装形式通常为TO-220，适合表面贴装和插件安装。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：31A
　　导通电阻：4.8mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　开关时间：ton=17ns, toff=30ns
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

PTB48560A的主要特点包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 快速的开关速度，可满足高频应用的需求。
　　3. 高电流承载能力，适用于大功率场合。
　　4. 强大的雪崩击穿能力和短路耐受能力，提高了系统的鲁棒性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且安全。
　　6. 优异的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。

应用

PTB48560A非常适合以下应用场景：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器的核心元件，用于电压调节和转换。
　　3. 各类电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。
　　4. 负载开关，用于保护后级电路免受过流或短路的影响。
　　5. 电池管理系统(BMS)，用于电池充放电控制及保护。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。