TT131N12KOF 时间：2025/8/23 16:55:53 阅读：5

TT131N12KOF 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度应用。这款 MOSFET 设计用于高效能、低损耗的开关操作，在电源管理、电机控制以及 DC-DC 转换器中表现优异。其封装形式为 TO-247，适用于需要高电流和高电压耐受能力的工业级应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：131 A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：1200 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：12 mΩ
　　功率耗散（PD）：300 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247

特性

TT131N12KOF 是一款高性能功率 MOSFET，具有较低的导通电阻（RDS(on)），能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。由于其 1200 V 的高漏极-源极击穿电压，这款器件适用于高电压应用场景，如工业电机控制、高功率开关电源以及太阳能逆变器等。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（300 W），可在高负载条件下保持稳定运行，确保系统的可靠性和长寿命。其 TO-247 封装不仅提供了良好的散热性能，还方便用户进行安装和散热管理。
　　在动态性能方面，TT131N12KOF 具有快速开关能力，能够减少开关损耗并提高系统效率。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的能量消耗，从而进一步优化整体系统性能。同时，该器件的短路耐受能力较强，能够在异常工况下提供一定的保护作用，避免因瞬态故障导致的损坏。这些特性使其成为高要求工业应用中的理想选择。