PC4SD11NTZBF 是由 IXYS 公司生产的一款功率控制用的MOSFET模块。该模块采用先进的半导体技术,具有高效、低导通电阻和高可靠性等特点,适用于需要高功率密度和稳定性能的电力电子系统。
类型:功率MOSFET模块
漏源电压(Vds):1200V
漏极电流(Id):11A
导通电阻(Rds(on)):最大值为1.25Ω(典型值1.15Ω)
封装形式:TO-247-3L
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
栅极电荷(Qg):67nC(典型值)
短路耐受能力:有
功率耗散:130W(最大值)
PC4SD11NTZBF 采用了先进的沟槽式MOSFET技术,确保了在高电压和高电流下的稳定运行。其低导通电阻减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下长期工作而不影响性能。
该模块还具备较高的短路耐受能力,使其在突发负载变化或短路情况下仍能保持稳定,提高了系统的可靠性。其TO-247封装形式便于散热设计,适用于多种高功率应用场合。
此外,PC4SD11NTZBF 的栅极驱动要求较低,兼容常见的驱动电路,便于设计和应用。其高可靠性和稳定性使其成为工业电源、电机驱动、UPS系统和太阳能逆变器等应用中的理想选择。
PC4SD11NTZBF 广泛应用于需要高功率和高可靠性的电力电子系统中,如工业电源、电机控制、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机和电动汽车充电设备等领域。由于其具备较高的电压和电流承受能力,也适合用于各种功率转换和调节系统中。
IXFH11N120P、IXFN110N120P、IRGPC50UD、STW15NM80