FW360-V-TL-E是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于需要高效能整流和低正向电压降的场合。该器件采用SOD-123FL小型封装,具有紧凑的尺寸和优良的热性能,适合高密度PCB布局和便携式电子设备的设计需求。FW360-V-TL-E的主要特点是其30V的反向重复电压(VRRM)和最大1A的平均整流电流(IO),使其在低压直流电路中表现出色,如电源适配器、DC-DC转换器、逆变器以及各类消费类电子产品中的保护电路。
该二极管基于肖特基势垒技术,利用金属-半导体结实现单向导电性,相较于传统的PN结二极管,具有更低的正向导通压降(VF),从而减少功率损耗并提高系统效率。此外,由于其快速开关特性,FW360-V-TL-E在高频开关应用中表现优异,能够有效降低开关过程中的能量损失,提升整体能效。器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造流程。
型号:FW360-V-TL-E
封装类型:SOD-123FL
是否无铅:是
是否符合RoHS:是
反向重复电压 VRRM:30V
最大平均整流电流 IO:1A
峰值正向浪涌电流 IFSM:30A
正向电压 VF(典型值):0.34V @ 1A, 25°C
反向漏电流 IR(最大值):0.1μA @ 25°C
工作结温范围 TJ:-55°C 至 +125°C
热阻结到环境 RθJA:350°C/W
电容 Cj(典型值):70pF @ 4V
FW360-V-TL-E的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构所带来的低正向压降与快速恢复特性。在正常工作条件下,当通过1A电流时,其正向电压降仅为约0.34V,显著低于传统硅PN结二极管的0.7V左右水平。这种低VF特性意味着更少的能量以热量形式耗散,有助于提高电源系统的转换效率,尤其是在电池供电或对能效要求较高的应用中尤为重要。
该器件具备非常快的反向恢复时间(trr < 5ns),几乎可以忽略不计,因此特别适合用于高频开关电源、DC-DC变换器以及防止反向电流流动的续流或箝位电路中。由于没有少子存储效应,肖特基二极管在关断过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰,从而减少了电磁干扰(EMI)和开关节点上的电压振荡问题,提升了系统的稳定性和可靠性。
SOD-123FL封装不仅体积小巧(约2.1mm x 1.3mm x 1.0mm),还优化了引脚设计以增强散热能力,使得FW360-V-TL-E能够在有限的空间内实现良好的热管理。此封装兼容自动化贴片工艺,适合大规模SMT生产,提高了组装效率和产品一致性。
此外,该器件具有出色的温度稳定性,在高温环境下仍能保持较低的漏电流水平。其最大反向漏电流在室温下仅为0.1μA,在125°C结温时也控制在可接受范围内,确保长期运行的可靠性。同时,高达30A的峰值浪涌电流承受能力使其能够应对瞬态过载情况,例如上电冲击或负载突变,增强了系统的鲁棒性。
总体而言,FW360-V-TL-E是一款集高性能、小尺寸、高可靠性和环保合规于一体的先进肖特基二极管,适用于追求高效率和小型化的现代电子设计需求。
FW360-V-TL-E因其低正向压降、快速响应和小型化封装,被广泛应用于多种电源管理和信号处理场景。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电池充电回路,作为防反接或防倒灌的保护二极管;在DC-DC升压或降压模块中用作同步整流辅助二极管或自举电路中的隔离元件;在AC-DC适配器中用于次级侧整流,特别是在低输出电压(如3.3V、5V)系统中以提升效率。
该器件也常用于LED驱动电源、USB供电设备、无线充电接收模块以及各类物联网终端设备中,满足这些应用对空间紧凑性和能效优化的双重需求。在通信设备中,FW360-V-TL-E可用于信号路径中的钳位或ESD保护,利用其快速响应能力防止瞬态电压损坏敏感IC。
此外,它还可用于逆变器电路、电机驱动板上的续流路径,以及各种嵌入式控制系统中的电源轨隔离与切换功能。得益于其宽泛的工作温度范围(-55°C至+125°C),FW360-V-TL-E也能适应工业级或汽车电子外围环境下的使用条件,虽然未专门认证为AEC-Q101器件,但在非严苛车载应用中仍具备一定的适用性。
总之,凡是需要高效、小型、快速开关二极管的应用场合,FW360-V-TL-E都是一个极具竞争力的选择。
MBR130VLSFT1G
NSR01F30NXT5G
PMBS3904,115
RB040M-30