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CEU540N 发布时间 时间:2025/6/29 0:16:19 查看 阅读:6

CEU540N是一款高性能的功率MOSFET器件,采用N沟道增强型技术设计。该器件适用于高频率开关应用,具有低导通电阻、快速开关特性和高效率等特点。其封装形式为TO-252(DPAK),能够满足工业、汽车和消费类电子产品的广泛需求。
  CEU540N在电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等领域表现优异。凭借其出色的电气性能和可靠性,它成为众多工程师在功率转换电路中的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):25mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):79W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频操作环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常工作条件下的耐用性。
  4. 采用了先进的制造工艺,确保了长期使用的可靠性和稳定性。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 支持高密度贴装,便于小型化设计。
  7. 能够承受较高的漏源电压(60V),适用于多种高压应用场景。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 汽车电子设备中的负载切换
  6. 工业自动化设备中的功率控制
  7. 便携式电子产品中的高效电源管理
  8. 各种保护电路中的快速开关元件

替代型号

IRLZ44N, FDN340P, AO3400

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