SPN4416BS8RG 时间：2025/6/25 16:33:37 阅读：5

SPN4416BS8RG是一款高集成度的功率MOSFET芯片，专为开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，可显著提高系统的效率和可靠性。
　　该芯片封装形式紧凑，适合空间受限的应用场景，同时具备良好的电气隔离性能和抗电磁干扰能力。

参数

型号：SPN4416BS8RG
　　类型：N-Channel MOSFET
　　封装：SOIC-8
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：19nC（典型值）
　　总功耗(Ptot)：1.8W
　　工作温度范围(Ta)：-55°C to +150°C

特性

SPN4416BS8RG的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 快速开关速度，适用于高频开关应用场景。
　　3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下依然保持优异的性能。
　　4. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
　　5. 小型化封装，节省PCB空间。
　　6. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
　　7. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。

应用

SPN4416BS8RG广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
　　2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
　　3. 各类负载开关和电池管理模块。
　　4. 汽车电子设备中的电源控制单元。
　　5. 工业自动化设备中的驱动电路。
　　6. 消费类电子产品中的功率调节电路。