NTMS10P02R2G
时间:2023/4/13 11:12:32
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概述
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
最大漏极电流Id(on)(A):1.600
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
描述:20 V, 10 A功率MOSFET
NTMS10P02R2G参数
- 标准包装2,500
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 10A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds3640pF @ 16V
- 功率 - 最大1.6W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装8-SOICN
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称NTMS10P02R2GOSNTMS10P02R2GOS-NDNTMS10P02R2GOSTR