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NTMS10P02R2G 发布时间 时间：2023/4/13 11:12:32 查看 阅读：458

NTMS10P02R2G技术参数

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：14

最大漏极电流Id(on)(A)：1.600

通道极性：P沟道

封装/温度(℃)：SOIC-8/-55 ~150

描述：20 V, 10 A功率MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTMS10P02R2G产品

NTMS10P02R2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 10A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3640pF @ 16V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTMS10P02R2GOSNTMS10P02R2GOS-NDNTMS10P02R2GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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