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IXTR48P20P 发布时间 时间:2025/10/30 23:54:59 查看 阅读:32

IXTR48P20P是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流双极晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),专为高功率开关和放大应用设计。该器件属于绝缘栅晶体管(IGBT)与双极晶体管混合技术路线中的高性能产品系列,具备优良的热稳定性和开关特性。IXTR48P20P采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能,适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及脉冲功率系统等严苛工作环境。该晶体管为PNP型结构,额定集电极电流高达48A,耐压值达到200V,能够在高温、高负载条件下长期稳定运行。其设计注重可靠性与效率,在快速开关过程中表现出较低的饱和压降和较高的增益特性。此外,该器件通过了多项工业级认证,符合RoHS环保标准,适合用于对安全性和耐用性要求较高的电力电子设备中。由于其优异的功率处理能力,IXTR48P20P常被应用于逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备及感应加热系统中作为核心开关元件。
  该器件在制造工艺上采用了先进的平面扩散技术和优化的基区掺杂分布,有效提升了载流子迁移率并降低了导通损耗。同时,其内部结构设计增强了抗二次击穿能力,提高了在感性负载下的运行安全性。为了确保在高频开关应用中的稳定性,IXTR48P20P还具备较低的存储时间和关断时间,有助于减少开关过程中的能量损耗。用户在使用时需配合适当的驱动电路与散热措施,以充分发挥其性能优势,并避免因过热或过流导致的器件损坏。

参数

型号:IXTR48P20P
  类型:PNP晶体管
  封装:TO-247
  最大集电极-发射极电压(VCEO):200V
  最大发射极-基极电压(VEBO):10V
  最大集电极电流(IC):48A
  最大总功耗(PD):300W
  直流电流增益(hFE):最小20(典型值随工作点变化)
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  饱和压降(VCE(sat)):典型值2.0V(在IC = 48A, IB = 4.8A条件下)
  上升时间(tr):约1.5μs
  下降时间(tf):约4.0μs
  过渡频率(fT):典型值3MHz

特性

IXTR48P20P具备卓越的高功率处理能力,能够承受高达48A的连续集电极电流和200V的集电极-发射极电压,使其适用于高负载电力电子系统。其TO-247封装不仅提供了优良的热传导路径,还增强了机械强度和电气绝缘性能,适用于紧凑型高密度功率模块设计。该器件在高电流下仍能保持稳定的电流增益,确保驱动电路的设计简化且可靠。其低饱和压降特性显著减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率,特别适合长时间运行的大功率应用。
  该晶体管具有出色的抗雪崩能力和高安全工作区(SOA),即使在瞬态过压或短路情况下也能维持器件完整性,从而提升系统的鲁棒性。其优化的基区设计降低了基极驱动电流需求,提高了电流传输效率,并减小了驱动电路的复杂度。在开关性能方面,IXTR48P20P展现出较快的上升与下降时间,支持中频范围内的高效切换操作,适用于频率在几十kHz级别的PWM控制场景。此外,该器件对温度变化的敏感性较低,在宽温范围内仍能保持一致的电气特性,适用于工业现场等环境条件多变的应用场合。
  制造上采用高纯度硅材料与精密扩散工艺,确保每批次产品具有一致的电气参数和长期可靠性。其结构经过老化测试与高温反偏(HTRB)验证,确保在极端工况下的寿命表现。该器件支持并联使用以扩展电流容量,适用于需要更高输出功率的设计方案。综合来看,IXTR48P20P是一款面向工业级高功率应用的高性能双极晶体管,兼具高效率、高可靠性和良好热管理特性的优点,是传统高功率BJT应用的理想选择之一。

应用

IXTR48P20P广泛应用于各类高功率电子系统中,尤其适用于需要大电流开关与高电压阻断能力的工业设备。其主要应用场景包括工业电机驱动器,在其中作为主开关元件实现对直流或交流电机的速度与转矩控制。在逆变电源与不间断电源(UPS)系统中,该器件可用于H桥拓扑结构中进行直流到交流的转换,提供稳定的正弦波或方波输出。此外,在电焊机设备中,IXTR48P20P常被用作斩波器或主功率开关,用于调节焊接电流与电压,确保焊接过程的稳定性与精度。
  该晶体管也适用于感应加热系统,如电磁炉、金属熔炼装置等,利用其快速开关能力实现高频交变电流的生成,从而在感应线圈中产生涡流加热效应。在脉冲功率系统中,例如激光驱动器或电容放电装置,IXTR48P20P可作为高速开关元件,精确控制能量释放的时间与幅度。此外,它还可用于高功率音频放大器的输出级,尤其是在专业音响与广播设备中,用于驱动低阻抗扬声器负载。
  在电源供应器领域,特别是大功率开关电源(SMPS)中,该器件可用于有源整流或稳压电路部分,提高电源的整体转换效率。由于其良好的热稳定性和抗干扰能力,IXTR48P20P也适合部署于轨道交通、能源变换站等关键基础设施中的电力控制系统内。总之,凡是需要高电压、大电流、高可靠性的模拟或数字开关功能的场合,IXTR48P20P均能提供稳定而高效的解决方案。

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IXTR48P20P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarP™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C93 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs103nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5400pF @ 25V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件